智原为ASIC领导厂商,与英特尔、三星及联电晶圆厂为策略合作伙伴,提供市场主流与FinFET/GAA工艺的ASIC设计服务。客户可依需求选用先进工艺,或应用广泛的高成本效益主流工艺。

基于英特尔工艺的设计

智原已开始与 Intel晶圆厂合作,双方第一个设计案是基于Arm CPU的基础设施平台SoC项目,采用Intel 18A工艺。英特尔18A工艺提供业界第一的Power-Via 环栅晶体管技术,可提高基础组件库的利用率和整体效能。透过使用英特尔的差异化工艺技术,我们可为ASIC与DIS客户加速尖端数据中心和HPC等应用的上市时程。

技术 晶圆工艺 核心装置 I/O装置 最高金属层数
18Angstrom 18A 0.7V - Front-side14, Back-side 5

基于三星工艺的设计

智原和三星合作已成功在FinFET工艺上完成多项ASIC项目。针对新一代应用产品,例如:人工智能、5G基础网络、区块链、云端储存、高速运算、扩增与虚拟现实、高阶成像技术等,我们为客户量身订做加值的ASIC设计解决方案,整合完备的IP,协助客户在FinFET技术上实现创新产品。

三星的3D结构FinFET技术为晶圆代工领域带来革命性的创新,也是近10年来业界最重要的技术里程碑,为14纳米工艺后的转换带来卓越的性能、功耗与面积效益。

技术 晶圆工艺 核心装置 I/O装置 最高金属层数
4nm LPP 0.75V 1.8V, 1.5V, 1.2V 14Cu
5nm LPE 0.75V 1.8V, 1.5V, 1.2V 14Cu
8nm LPU 0.75V 1.8V, 1.5V, 1.2V 14Cu
14nm LPU 0.8V 1.8V, 1.5V, 1.2V 13Cu

基于联电工艺的设计

智原和联电已合作开发多项标准组件、接口组件库与内存编辑器,完整涵盖0.5微米至14纳米的逻辑和混合讯号特殊工艺。客户可选择不同的工艺、电压及混合模式技术,以因应物联网、微控制器、智能电网、多功能打印机、投影机与网通等广泛应用领域的需求。

技术 晶圆工艺 核心装置 I/O 装置 High Voltage 最高金属层数
14nm FFC 0.8V 1.8V   13Cu
22nm LOGIC/MM-ULP/ULL 0.8V 1.8V,2.5V   11Cu
28nm LOGIC/MM-HLP 1.05V 1.8V,2.5V   11Cu
28nm LOGIC/MM-HPC 0.9V 1.8V,2.5V   11Cu
28nm LOGIC/MM-HPC+ 0.9V 1.8V,2.5V   11Cu
40nm LOGIC/MM-LP 1.1V 1.8V,2.5V   11Cu
40nm LOGIC/MM-ULP 0.9V,1.1V 1.8V,2.5V   11Cu
40nm LOGIC/MM-ULP/SONOS 0.9V,1.1V 1.8V,2.5V   11Cu
55nm LOGIC/MM-LP 1.2V 2.5V   10Cu
55nm EFLASH-LP/SPLIT_GATE 1.2V 2.5V   10Cu
55nm LOGIC/MM-SP 1.0V 2.5V   10Cu
90nm LOGIC/MM-SP 1.0V,1.2V 1.8V,2.5V,3.3V   9Cu
0.11µm LOGIC/MM-L110AE 1.2V 2.5V,3.3V   8Al
0.11µm EFLASH/EE2PROM 1.2V 3.3V   8Al
0.153µm LOGIC/MM 1.8V 3.3V   6Al
0.162µm LOGIC GII 1.8V 3.3V   6Al
0.162µm LEHV162N 1.8V 5.5V 16V  
0.18µm LOGIC GII 1.8V 3.3V   6Al
0.18µm LOGIC -LL 1.8V 3.3V   6Al
0.18µm EHV18 1.8V 5.5V 16V 6Al
0.18µm EFLASH/EE2PROM-GII 1.8V 3.3V   6Al
0.18µm EFLASH -HJTC 1.8V 3.3V,5V   6Al
0.18µm BCD 1.8V 5V 12V~150V 6Al
0.22µm LOGIC 2.5V 3.3V   5Al
0.25µm LOGIC 2.5V 3.3V   5Al
0.3µm LOGIC 3.3V 5.0V   5Al
0.35µm LOGIC 3.3V 5.0V   5Al
0.35µm CDMOS 3.3V 5V 40V 5Al
0.35µm EFLASH 3.3V 5V   5Al
0.35µm EHV-8AB 3.3V   13.5V 5Al
0.45µm LOGIC 5V     3Al
0.5µm LOGIC 5V     3Al