基于英特尔工艺的设计
智原已开始与 Intel晶圆厂合作,双方第一个设计案是基于Arm CPU的基础设施平台SoC项目,采用Intel 18A工艺。英特尔18A工艺提供业界第一的Power-Via 环栅晶体管技术,可提高基础组件库的利用率和整体效能。透过使用英特尔的差异化工艺技术,我们可为ASIC与DIS客户加速尖端数据中心和HPC等应用的上市时程。
| 技术 | 晶圆工艺 | 核心装置 | I/O装置 | 最高金属层数 |
|---|---|---|---|---|
| 18Angstrom | 18A | 0.7V | - | Front-side14, Back-side 5 |
基于三星工艺的设计
智原和三星合作已成功在FinFET工艺上完成多项ASIC项目。针对新一代应用产品,例如:人工智能、5G基础网络、区块链、云端储存、高速运算、扩增与虚拟现实、高阶成像技术等,我们为客户量身订做加值的ASIC设计解决方案,整合完备的IP,协助客户在FinFET技术上实现创新产品。
三星的3D结构FinFET技术为晶圆代工领域带来革命性的创新,也是近10年来业界最重要的技术里程碑,为14纳米工艺后的转换带来卓越的性能、功耗与面积效益。
| 技术 | 晶圆工艺 | 核心装置 | I/O装置 | 最高金属层数 |
|---|---|---|---|---|
| 4nm | LPP | 0.75V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 14Cu |
| 5nm | LPE | 0.75V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 14Cu |
| 8nm | LPU | 0.75V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 14Cu |
| 14nm | LPU | 0.8V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 13Cu |
基于联电工艺的设计
智原和联电已合作开发多项标准组件、接口组件库与内存编辑器,完整涵盖0.5微米至14纳米的逻辑和混合讯号特殊工艺。客户可选择不同的工艺、电压及混合模式技术,以因应物联网、微控制器、智能电网、多功能打印机、投影机与网通等广泛应用领域的需求。
| 技术 | 晶圆工艺 | 核心装置 | I/O 装置 | High Voltage | 最高金属层数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 14nm | FFC | 0.8V | 1.8V | 13Cu | |
| 22nm | LOGIC/MM-ULP/ULL | 0.8V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 28nm | LOGIC/MM-HLP | 1.05V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 28nm | LOGIC/MM-HPC | 0.9V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 28nm | LOGIC/MM-HPC+ | 0.9V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 40nm | LOGIC/MM-LP | 1.1V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 40nm | LOGIC/MM-ULP | 0.9V,1.1V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 40nm | LOGIC/MM-ULP/SONOS | 0.9V,1.1V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 55nm | LOGIC/MM-LP | 1.2V | 2.5V | 10Cu | |
| 55nm | EFLASH-LP/SPLIT_GATE | 1.2V | 2.5V | 10Cu | |
| 55nm | LOGIC/MM-SP | 1.0V | 2.5V | 10Cu | |
| 90nm | LOGIC/MM-SP | 1.0V,1.2V | 1.8V,2.5V,3.3V | 9Cu | |
| 0.11µm | LOGIC/MM-L110AE | 1.2V | 2.5V,3.3V | 8Al | |
| 0.11µm | EFLASH/EE2PROM | 1.2V | 3.3V | 8Al | |
| 0.153µm | LOGIC/MM | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.162µm | LOGIC GII | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.162µm | LEHV162N | 1.8V | 5.5V | 16V | |
| 0.18µm | LOGIC GII | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.18µm | LOGIC -LL | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.18µm | EHV18 | 1.8V | 5.5V | 16V | 6Al |
| 0.18µm | EFLASH/EE2PROM-GII | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.18µm | EFLASH -HJTC | 1.8V | 3.3V,5V | 6Al | |
| 0.18µm | BCD | 1.8V | 5V | 12V~150V | 6Al |
| 0.22µm | LOGIC | 2.5V | 3.3V | 5Al | |
| 0.25µm | LOGIC | 2.5V | 3.3V | 5Al | |
| 0.3µm | LOGIC | 3.3V | 5.0V | 5Al | |
| 0.35µm | LOGIC | 3.3V | 5.0V | 5Al | |
| 0.35µm | CDMOS | 3.3V | 5V | 40V | 5Al |
| 0.35µm | EFLASH | 3.3V | 5V | 5Al | |
| 0.35µm | EHV-8AB | 3.3V | 13.5V | 5Al | |
| 0.45µm | LOGIC | 5V | 3Al | ||
| 0.5µm | LOGIC | 5V | 3Al |