インテルのデザインイネーブルメント
プラットフォーム SoC の最初のプロジェクト開発において、インテル ファウンドリとの共同作業を開始しました。 Intel 18A は、ゲートオールラウンド トランジスタに業界初の Power-Via をもたらし、標準セルの使用率と全体的なパフォーマンスの向上を約束します。 インテルの差別化されたプロセス技術を活用することで、ファラデー ASIC と DIS の顧客は、最先端のデータセンターと HPC アプリケーションの市場投入までの時間を短縮することができます。
Technology | Foundry Process Name | Core Device | I/O Device | Max. Metal Layers |
---|---|---|---|---|
18Angstrom | 18A | 0.7V | - | Front-side14, Back-side 5 |
サムスンのデザインイネーブルメント
ファラデー社は、サムスンとの協業を通じて、FinFETプラットフォームの数々のASICプロジェクトをテープアウトしてきました。付加価値の高いカスタマイズ可能なASIC設計ソリューションを提供することで、顧客が包括的な検証用済みのIPを用いてFinFETプロセス技術を用いた革新的な製品を実現するお手伝いをします。こうしたソリューションは、人口知能(AI)、5G/インフラストラクチャネットワーキング、ブロックチェーン(仮想通貨)、クラウドストレージ、高性能コンピューティング(HPC)、拡張現実(AR)、仮想現実(VR)、ハイエンドイメージングなどの次世代応用機器をターゲットとしています。
サムスンのファンドリー部門は、画期的な3次元構造のFinFET技術の実装を通じて、性能面、電力面、実装面積面でより優れたメリットを実現したことで、ファンドリー業界に革新的な足跡を残しています。
Technology | Foundry Process Name | Core Device | I/O Device | Max. Metal Layers |
---|---|---|---|---|
5nm | LPE | 0.75V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 14Cu |
8nm | LPU | 0.75V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 14Cu |
14nm | LPU | 0.8V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 13Cu |
UMCのデザインイネーブルメント
ファラデー社は、UMCとの協業を通じて、両社共通の顧客向けに、広範囲にわたる標準セルライブラリ、I/Oライブラリ、メモリコンパイラ等を開発しています。ロジックプロセスとミックスドシグナルプロセスにおける包括的なサポートは、14nmプロセス技術から0.5 μmの特殊プロセスまで多岐にわたります。顧客は、さまざまなプロセスノード、電圧オプション、混在モード技術の中から、IoT、MCU、スマートグリッド、MFP、プロジェクター、ネットワーキングなど、幅広い用途の顧客の要件を満たす技術を選択可能です。
Technology | Foundry Process Name | Core Device | I/O Device | High Voltage | Max. Metal Layers |
---|---|---|---|---|---|
14nm | FFC | 0.8V | 1.8V | 13Cu | |
22nm | LOGIC/MM-ULP/ULL | 0.8V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
28nm | LOGIC/MM-HLP | 1.05V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
28nm | LOGIC/MM-HPC | 0.9V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
28nm | LOGIC/MM-HPC+ | 0.9V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
40nm | LOGIC/MM-LP | 1.1V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
40nm | LOGIC/MM-ULP | 0.9V,1.1V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
40nm | LOGIC/MM-ULP/SONOS | 0.9V,1.1V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
55nm | LOGIC/MM-LP | 1.2V | 2.5V | 10Cu | |
55nm | EFLASH-LP/SPLIT_GATE | 1.2V | 2.5V | 10Cu | |
55nm | LOGIC/MM-SP | 1.0V | 2.5V | 10Cu | |
90nm | LOGIC/MM-SP | 1.0V,1.2V | 1.8V,2.5V,3.3V | 9Cu | |
0.11µm | LOGIC/MM-L110AE | 1.2V | 2.5V,3.3V | 8Al | |
0.11µm | EFLASH/EE2PROM | 1.2V | 3.3V | 8Al | |
0.153µm | LOGIC/MM | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
0.162µm | LOGIC GII | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
0.162µm | LEHV162N | 1.8V | 5.5V | 16V | |
0.18µm | LOGIC GII | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
0.18µm | LOGIC -LL | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
0.18µm | EHV18 | 1.8V | 5.5V | 16V | 6Al |
0.18µm | EFLASH/EE2PROM-GII | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
0.18µm | EFLASH -HJTC | 1.8V | 3.3V,5V | 6Al | |
0.18µm | BCD | 1.8V | 5V | 12V~150V | 6Al |
0.22µm | LOGIC | 2.5V | 3.3V | 5Al | |
0.25µm | LOGIC | 2.5V | 3.3V | 5Al | |
0.3µm | LOGIC | 3.3V | 5.0V | 5Al | |
0.35µm | LOGIC | 3.3V | 5.0V | 5Al | |
0.35µm | CDMOS | 3.3V | 5V | 40V | 5Al |
0.35µm | EFLASH | 3.3V | 5V | 5Al | |
0.35µm | EHV-8AB | 3.3V | 13.5V | 5Al | |
0.45µm | LOGIC | 5V | 3Al | ||
0.5µm | LOGIC | 5V | 3Al |