패러데이는 당사의 전략적인 파운드리 파트너인 인텔, 삼성 및 UMC와의 협력을 통해 기존의 공정들을 비롯 FinFET/GAA 공정까지, 광범위한 설계를 지원합니다. 따라서 당사는 고객들의 다양한 용도에 알맞게 비용 효과적인 솔루션과 더불어 최첨단 공정 기술까지 제공할 수 있습니다.

인텔의 설계 구현

패러데이는 인텔 18A 기술을 활용한 Arm 기반 인프라 플랫폼 SoC의 첫 번째 프로젝트를 개발하기 위해 인텔 Foundry와 협력을 시작했습니다. Intel 18A는 업계 최초의 게이트 올어라운드 트랜지스터(gate-all-around transistors)에 Power-Via를 도입하여 표준 셀 활용도와 전반적인 성능 향상을 약속합니다. 인텔의 차별화된 프로세스 기술을 활용함으로써 패러데이의 ASIC 및 DIS 고객은 최첨단 데이터 센터 및 HPC 애플리케이션의 출시 기간을 단축할 수 있는 이점을 누릴 수 있습니다.

Technology Foundry Process Name Core Device I/O Device Max. Metal Layers
18Angstrom 18A 0.7V - Front-side14, Back-side 5

삼성의 설계 구현

패러데이는 삼성과의 협력을 통해 AI(인공지능), 5G/인프라 네트워킹, 블록체인, 클라우드 스토리지, HPC(고성능 컴퓨팅), AR 및 VR, 하이엔드 이미징 등의 차세대 애플리케이션에 알맞은 FinFET 플랫폼에 주력한 ASIC 프로젝트를 성공적으로 선보일 수 있었습니다. 당사는 가치를 창출하는 맞춤형 ASIC 설계 솔루션을 제공함으로써 검증된 포괄적인 IP로 고객들의 혁신적인 제품을 FinFET 공정 기술로 구현할 수 있도록 도와드립니다.

삼성 파운드리는 최근 10년 동안 우월한 성능/전력/확장성을 확보할 수 있는 혁신적인 3D 구조 FinFET 기술을 구현함으로써 파운드리 업계에 변혁을 가져왔습니다.

Technology Foundry Process Name Core Device I/O Device Max. Metal Layers
4nm LPP 0.75V 1.8V, 1.5V, 1.2V 14Cu
5nm LPE 0.75V 1.8V, 1.5V, 1.2V
14Cu
8nm LPU 0.75V 1.8V, 1.5V, 1.2V 14Cu
14nm LPU 0.8V 1.8V, 1.5V, 1.2V 13Cu

UMC의 설계 구현

패러데이는 UMC와 함께 상호 고객을 위한 다양한 표준 셀 및 I/O 라이브러리를 개발하고자 협력해 왔습니다. 당사에서 제공하는 로직 및 혼합 신호 공정들은 14nm 기술부터 0.5um 특수 공정까지 다양합니다. 따라서 고객들의 각기 다른 니즈에 맞게 공정 노드, 전압 사양, 혼합 모드 기술을 폭넓게 제공할 수 있으며 결과적으로 IoT, MCU, 스마트 그리드, MFP, 프로젝터, 네트워킹 등 여러 가지 애플리케이션의 요구사항을 충족할 수 있습니다.

Technology Foundry Process Name Core Device I/O Device High Voltage Max. Metal Layers
14nm FFC 0.8V 1.8V   13Cu
22nm LOGIC/MM-ULP/ULL 0.8V 1.8V,2.5V   11Cu
28nm LOGIC/MM-HLP 1.05V 1.8V,2.5V   11Cu
28nm LOGIC/MM-HPC 0.9V 1.8V,2.5V   11Cu
28nm LOGIC/MM-HPC+ 0.9V 1.8V,2.5V   11Cu
40nm LOGIC/MM-LP 1.1V 1.8V,2.5V   11Cu
40nm LOGIC/MM-ULP 0.9V,1.1V 1.8V,2.5V   11Cu
40nm LOGIC/MM-ULP/SONOS 0.9V,1.1V 1.8V,2.5V   11Cu
55nm LOGIC/MM-LP 1.2V 2.5V   10Cu
55nm EFLASH-LP/SPLIT_GATE 1.2V 2.5V   10Cu
55nm LOGIC/MM-SP 1.0V 2.5V   10Cu
90nm LOGIC/MM-SP 1.0V,1.2V 1.8V,2.5V,3.3V   9Cu
0.11µm LOGIC/MM-L110AE 1.2V 2.5V,3.3V   8Al
0.11µm EFLASH/EE2PROM 1.2V 3.3V   8Al
0.153µm LOGIC/MM 1.8V 3.3V   6Al
0.162µm LOGIC GII 1.8V 3.3V   6Al
0.162µm LEHV162N 1.8V 5.5V 16V  
0.18µm LOGIC GII 1.8V 3.3V   6Al
0.18µm LOGIC -LL 1.8V 3.3V   6Al
0.18µm EHV18 1.8V 5.5V 16V 6Al
0.18µm EFLASH/EE2PROM-GII 1.8V 3.3V   6Al
0.18µm EFLASH -HJTC 1.8V 3.3V,5V   6Al
0.18µm BCD 1.8V 5V 12V~150V 6Al
0.22µm LOGIC 2.5V 3.3V   5Al
0.25µm LOGIC 2.5V 3.3V   5Al
0.3µm LOGIC 3.3V 5.0V   5Al
0.35µm LOGIC 3.3V 5.0V   5Al
0.35µm CDMOS 3.3V 5V 40V 5Al
0.35µm EFLASH 3.3V 5V   5Al
0.35µm EHV-8AB 3.3V   13.5V 5Al
0.45µm LOGIC 5V     3Al
0.5µm LOGIC 5V     3Al