인텔의 설계 구현
패러데이는 인텔 18A 기술을 활용한 Arm 기반 인프라 플랫폼 SoC의 첫 번째 프로젝트를 개발하기 위해 인텔 Foundry와 협력을 시작했습니다. Intel 18A는 업계 최초의 게이트 올어라운드 트랜지스터(gate-all-around transistors)에 Power-Via를 도입하여 표준 셀 활용도와 전반적인 성능 향상을 약속합니다. 인텔의 차별화된 프로세스 기술을 활용함으로써 패러데이의 ASIC 및 DIS 고객은 최첨단 데이터 센터 및 HPC 애플리케이션의 출시 기간을 단축할 수 있는 이점을 누릴 수 있습니다.
| Technology | Foundry Process Name | Core Device | I/O Device | Max. Metal Layers |
|---|---|---|---|---|
| 18Angstrom | 18A | 0.7V | - | Front-side14, Back-side 5 |
삼성의 설계 구현
패러데이는 삼성과의 협력을 통해 AI(인공지능), 5G/인프라 네트워킹, 블록체인, 클라우드 스토리지, HPC(고성능 컴퓨팅), AR 및 VR, 하이엔드 이미징 등의 차세대 애플리케이션에 알맞은 FinFET 플랫폼에 주력한 ASIC 프로젝트를 성공적으로 선보일 수 있었습니다. 당사는 가치를 창출하는 맞춤형 ASIC 설계 솔루션을 제공함으로써 검증된 포괄적인 IP로 고객들의 혁신적인 제품을 FinFET 공정 기술로 구현할 수 있도록 도와드립니다.
삼성 파운드리는 최근 10년 동안 우월한 성능/전력/확장성을 확보할 수 있는 혁신적인 3D 구조 FinFET 기술을 구현함으로써 파운드리 업계에 변혁을 가져왔습니다.
| Technology | Foundry Process Name | Core Device | I/O Device | Max. Metal Layers |
|---|---|---|---|---|
| 4nm | LPP | 0.75V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 14Cu |
| 5nm | LPE | 0.75V | 1.8V, 1.5V, 1.2V |
14Cu |
| 8nm | LPU | 0.75V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 14Cu |
| 14nm | LPU | 0.8V | 1.8V, 1.5V, 1.2V | 13Cu |
UMC의 설계 구현
패러데이는 UMC와 함께 상호 고객을 위한 다양한 표준 셀 및 I/O 라이브러리를 개발하고자 협력해 왔습니다. 당사에서 제공하는 로직 및 혼합 신호 공정들은 14nm 기술부터 0.5um 특수 공정까지 다양합니다. 따라서 고객들의 각기 다른 니즈에 맞게 공정 노드, 전압 사양, 혼합 모드 기술을 폭넓게 제공할 수 있으며 결과적으로 IoT, MCU, 스마트 그리드, MFP, 프로젝터, 네트워킹 등 여러 가지 애플리케이션의 요구사항을 충족할 수 있습니다.
| Technology | Foundry Process Name | Core Device | I/O Device | High Voltage | Max. Metal Layers |
|---|---|---|---|---|---|
| 14nm | FFC | 0.8V | 1.8V | 13Cu | |
| 22nm | LOGIC/MM-ULP/ULL | 0.8V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 28nm | LOGIC/MM-HLP | 1.05V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 28nm | LOGIC/MM-HPC | 0.9V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 28nm | LOGIC/MM-HPC+ | 0.9V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 40nm | LOGIC/MM-LP | 1.1V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 40nm | LOGIC/MM-ULP | 0.9V,1.1V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 40nm | LOGIC/MM-ULP/SONOS | 0.9V,1.1V | 1.8V,2.5V | 11Cu | |
| 55nm | LOGIC/MM-LP | 1.2V | 2.5V | 10Cu | |
| 55nm | EFLASH-LP/SPLIT_GATE | 1.2V | 2.5V | 10Cu | |
| 55nm | LOGIC/MM-SP | 1.0V | 2.5V | 10Cu | |
| 90nm | LOGIC/MM-SP | 1.0V,1.2V | 1.8V,2.5V,3.3V | 9Cu | |
| 0.11µm | LOGIC/MM-L110AE | 1.2V | 2.5V,3.3V | 8Al | |
| 0.11µm | EFLASH/EE2PROM | 1.2V | 3.3V | 8Al | |
| 0.153µm | LOGIC/MM | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.162µm | LOGIC GII | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.162µm | LEHV162N | 1.8V | 5.5V | 16V | |
| 0.18µm | LOGIC GII | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.18µm | LOGIC -LL | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.18µm | EHV18 | 1.8V | 5.5V | 16V | 6Al |
| 0.18µm | EFLASH/EE2PROM-GII | 1.8V | 3.3V | 6Al | |
| 0.18µm | EFLASH -HJTC | 1.8V | 3.3V,5V | 6Al | |
| 0.18µm | BCD | 1.8V | 5V | 12V~150V | 6Al |
| 0.22µm | LOGIC | 2.5V | 3.3V | 5Al | |
| 0.25µm | LOGIC | 2.5V | 3.3V | 5Al | |
| 0.3µm | LOGIC | 3.3V | 5.0V | 5Al | |
| 0.35µm | LOGIC | 3.3V | 5.0V | 5Al | |
| 0.35µm | CDMOS | 3.3V | 5V | 40V | 5Al |
| 0.35µm | EFLASH | 3.3V | 5V | 5Al | |
| 0.35µm | EHV-8AB | 3.3V | 13.5V | 5Al | |
| 0.45µm | LOGIC | 5V | 3Al | ||
| 0.5µm | LOGIC | 5V | 3Al |