智原為ASIC領導廠商,與英特爾、三星及聯電晶圓廠為策略合作夥伴,提供市場主流與FinFET/GAA製程的ASIC設計服務。客戶可依需求選用先進製程,或應用廣泛的高成本效益主流製程。

基於英特爾製程的設計

智原已開始與 Intel晶圓廠合作,第一個設計案是基於Arm CPU的基礎設施平台SoC專案,採用Intel 18A製程。英特爾18A製程提供業界第一的Power-Via 環柵電晶體技術,可提高基礎元件庫的利用率和整體效能。透過使用英特爾的差異化製程技術,我們可為ASIC與DIS客戶加速尖端資料中心和HPC等應用的上市時程。

技術 晶圓製程 核心裝置 I/O裝置 最高金屬層數
18Angstrom 18A 0.7V - Front-side14, Back-side 5

基於三星製程的設計

智原和三星合作已成功在FinFET製程上完成多項ASIC專案。針對新一代應用產品,例如:人工智慧、5G基礎網路、區塊鏈、雲端儲存、高速運算、擴增與虛擬實境、高階成像技術等,我們為客戶量身訂做加值的ASIC設計解決方案,整合完備的IP,協助客戶在FinFET技術上實現創新產品。

三星的3D結構FinFET技術為晶圓代工領域帶來革命性的創新,也是近10年來業界最重要的技術里程碑,為14奈米製程後的轉換帶來卓越的性能、功耗與面積效益。

技術 晶圓製程 核心裝置 I/O裝置 最高金屬層數
5nm LPE 0.75V 1.8V, 1.5V, 1.2V 14Cu
8nm LPU 0.75V 1.8V, 1.5V, 1.2V 14Cu
14nm LPU 0.8V 1.8V, 1.5V, 1.2V 13Cu

基於聯電製程的設計

智原和聯電已合作開發多項標準元件、介面元件庫與記憶體編輯器,完整涵蓋0.5微米至14奈米的邏輯和混合訊號特殊製程。客戶可選擇不同的製程、電壓及混合模式技術,以因應物聯網、微控制器、智慧電網、多功能事務機、投影機與網通等廣泛應用領域的需求。

Technology Foundry Process Name Core Device I/O Device High Voltage Max. Metal Layers
14nm FFC 0.8V 1.8V   13Cu
22nm LOGIC/MM-ULP/ULL 0.8V 1.8V,2.5V   11Cu
28nm LOGIC/MM-HLP 1.05V 1.8V,2.5V   11Cu
28nm LOGIC/MM-HPC 0.9V 1.8V,2.5V   11Cu
28nm LOGIC/MM-HPC+ 0.9V 1.8V,2.5V   11Cu
40nm LOGIC/MM-LP 1.1V 1.8V,2.5V   11Cu
40nm LOGIC/MM-ULP 0.9V,1.1V 1.8V,2.5V   11Cu
40nm LOGIC/MM-ULP/SONOS 0.9V,1.1V 1.8V,2.5V   11Cu
55nm LOGIC/MM-LP 1.2V 2.5V   10Cu
55nm EFLASH-LP/SPLIT_GATE 1.2V 2.5V   10Cu
55nm LOGIC/MM-SP 1.0V 2.5V   10Cu
90nm LOGIC/MM-SP 1.0V,1.2V 1.8V,2.5V,3.3V   9Cu
0.11µm LOGIC/MM-L110AE 1.2V 2.5V,3.3V   8Al
0.11µm EFLASH/EE2PROM 1.2V 3.3V   8Al
0.153µm LOGIC/MM 1.8V 3.3V   6Al
0.162µm LOGIC GII 1.8V 3.3V   6Al
0.162µm LEHV162N 1.8V 5.5V 16V  
0.18µm LOGIC GII 1.8V 3.3V   6Al
0.18µm LOGIC -LL 1.8V 3.3V   6Al
0.18µm EHV18 1.8V 5.5V 16V 6Al
0.18µm EFLASH/EE2PROM-GII 1.8V 3.3V   6Al
0.18µm EFLASH -HJTC 1.8V 3.3V,5V   6Al
0.18µm BCD 1.8V 5V 12V~150V 6Al
0.22µm LOGIC 2.5V 3.3V   5Al
0.25µm LOGIC 2.5V 3.3V   5Al
0.3µm LOGIC 3.3V 5.0V   5Al
0.35µm LOGIC 3.3V 5.0V   5Al
0.35µm CDMOS 3.3V 5V 40V 5Al
0.35µm EFLASH 3.3V 5V   5Al
0.35µm EHV-8AB 3.3V   13.5V 5Al
0.45µm LOGIC 5V     3Al
0.5µm LOGIC 5V     3Al